可控硅元件的主要弱點(diǎn)是承受過電流和過電壓的能力很差，即使短時(shí)間的過流和過電壓，也可能導(dǎo)致可控硅的損壞，所以必須對(duì)它采用適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)措施。

　　

　　1.過電流保護(hù)

　　

　　可控硅出現(xiàn)過電流的主要原因是過載、短路和誤觸發(fā)。過電流保護(hù)有以下三種：

　　

　　*種是快速容斷器：快速容斷器中的溶絲是銀質(zhì)的，只要選用適當(dāng)，在同樣的過電流倍數(shù)下，它可以在可控硅損壞前先溶斷，從而保護(hù)了晶閘管。

　　

　　第二種是過電流繼電器：當(dāng)電流超過過電流繼電器的整定值時(shí)，過電流繼電器就會(huì)動(dòng)作，切斷保護(hù)電路。但由于繼電器動(dòng)作到切斷電路需要一定時(shí)間，所以只能用作可控硅的過載保護(hù)。

　　

　　第三種是過載截止保護(hù)：利用過電流的信號(hào)將可控硅的觸發(fā)信號(hào)后移，或使可控硅得導(dǎo)通角減小，或干脆停止觸發(fā)保護(hù)可控硅。

　　

　　2.過電壓保護(hù)

　　

　　過電壓可能導(dǎo)致可控硅的擊穿，其主要原因是由于電路中電感元件的通斷、熔斷器熔斷或可控硅在導(dǎo)通與截止間的轉(zhuǎn)換。對(duì)過壓保護(hù)可采用兩種措施：

　　

　　*種：阻容保護(hù)阻容保護(hù)是電阻和電容串聯(lián)后，接在可控硅電路中的一種過電壓保護(hù)方式，其實(shí)質(zhì)是利用電容器兩端電壓不能突變和電容器的電場(chǎng)儲(chǔ)能以及電阻使耗能元件的特性，把過電壓的能量變成電場(chǎng)能量?jī)?chǔ)存在電場(chǎng)中，并利用電阻把這部分能量消耗掉。

　　

　　第二種：硒堆保護(hù)。