根據(jù)開關頻率選擇不同系列的北京英飛凌IGBT模塊

更新時間：2016-09-23

瀏覽次數(shù)：3791

　　IGBT的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開關損耗組成，不同的開關頻率，開關損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態(tài)損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開關損耗的開關時間（ton，toff）又是一對矛盾，因此應根據(jù)不同的開關頻率來選擇不同特征的IGBT。

　　在低頻如fk<10KHz時，通態(tài)損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型北京英飛凌IGBT模塊。對于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT；但北京英飛凌IGBT模塊后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關損耗降低20％左右，因而

　　“KT3”將更有優(yōu)勢。“KT3”由于開關速度更快，對吸收與布線要求更高。

　　若開關頻率在10KHz－15KHz之間，請使用英飛凌后綴為“DN2”和“KT3”的IGBT模塊，今后對于fk≤15KHz的應用場合，建議客戶逐步用“KT3”取代“KE3”，“DLC”或“DN2”。

　　當開關頻率fk≥15KHz時，開關損耗是主要的，通態(tài)損耗占的比例比較小。選擇英飛凌短拖尾電流“KS4”高頻系列。當然對于fk在15KHz－20KHz之間時，“DN2”系列

　　也是比較好的選擇。英飛凌“KS4”高頻系列，硬開關工作頻率可達40KHz；若是軟開關，可工作在150KHz左右。

　　北京英飛凌IGBT模塊在高頻下工作時，其總損耗與開關頻率的關系比較大，因此若希望IGBT工作在更高的頻率，可選擇更大電流的IGBT模塊；另一方面，軟開關主要是降低了開關損耗，可使IGBT模塊工作頻率大大提高。隨著IGBT模塊耐壓的提高，IGBT的開關頻率相應下降。

上一篇：北京英飛凌IGBT模塊的正確選擇與使用
下一篇：北京英飛凌IGBT模塊的使用說明

与80岁老太做爰A片免费看,草草影院在线观看免费进入,中文字幕乱码无码人妻系列蜜桃,国产一区自拍手机在线观看

根據(jù)開關頻率選擇不同系列的北京英飛凌IGBT模塊