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英飛凌IGBT模塊FP100R12KT4

英飛凌IGBT模塊FP100R12KT4

型    號: FP100R12KT4
報    價: 999
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

詳細資料:

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1200V 100A 。6單元IGBT+三相整流橋+剎車電路

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